STB6N65M2
طلب السعر والوقت الرصاص
STB6N65M2 متوفرة ، يمكننا توفير STB6N65M2 ، واستخدام نموذج طلب الاقتباس لطلب STB6N65M2 pirce والمهلة الزمنية.Atosn.com موزع مكونات إلكترونية محترف ، لدينا مخزون كبير ويمكننا التسليم السريع ، اتصل بنا اليوم وسيوفر لك مندوب المبيعات لدينا السعر وتفاصيل الشحن في الجزء # STB6N65M2 ، بما في ذلك مشكلات التخليص الجمركي لتتناسب مع بلدك ، لدينا فريق مبيعات محترفوالفريق الفني ، نتطلع إلى العمل معكم.
طلب اقتباس
برودوكت بارامترز
- VGS (ال) (ماكس) @ إيد
- 4V @ 250µA
- فغس (ماكس)
- ±25V
- تكنولوجيا
- MOSFET (Metal Oxide)
- تجار الأجهزة حزمة
- D2PAK
- سلسلة
- MDmesh™
- RDS على (ماكس) @ إيد، VGS
- 1.35 Ohm @ 2A, 10V
- تبديد الطاقة (ماكس)
- 60W (Tc)
- التعبئة والتغليف
- Tape & Reel (TR)
- حزمة / كيس
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- اسماء اخرى
- 497-15047-2
- درجة حرارة التشغيل
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- تصاعد نوع
- Surface Mount
- مستوى حساسية الرطوبة (مسل)
- 1 (Unlimited)
- الصانع المهلة القياسية
- 42 Weeks
- حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات
- Lead free / RoHS Compliant
- مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس
- 226pF @ 100V
- غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس
- 9.8nC @ 10V
- نوع FET
- N-Channel
- FET الميزة
- -
- محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على)
- 10V
- استنزاف لجهد المصدر (Vdss)
- 650V
- وصف تفصيلي
- N-Channel 650V 4A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount D2PAK
- الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C
- 4A (Tc)
منتجات مماثلة
- STMicroelectronics STB6N65M2
- ورقة بيانات STB6N65M2
- ورقة بيانات STB6N65M2
- ورقة بيانات STB6N65M2 pdf
- قم بتنزيل ورقة بيانات STB6N65M2
- صورة STB6N65M2
- جزء STB6N65M2
- ST STB6N65M2
- STMicroelectronics STB6N65M2